Optimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-Si:H

Endhah Purwandari(1), Toto Winata(2),
(1) , 
(2) , 

Abstract


Perhitungan efisiensi konversi sel surya tipe persambungan p-i-n dengan berbasis material a-Si:H dilakukan berdasarkan simulasi perhitungan karakteristik I-V dari material. Dalam bentuk 1 dimensi, Persamaan Poisson dan Persamaan Kontinyuitas diselesaikan dengan menggunakan  Femlab Simulation. Data empirik optical band gap Eg pada variasi tekanan deposisi 0-500 mTorr,  yang diperoleh dalam penumbuhan a-Si;H menggunakan teknik HWC-VHF-PECVD, menjadi input kegiatan optimasi. Hasil simulasi menunjukkan terjadinya penurunan efisiensi dengan adanya kenaikan Eg. Efisiensi sel surya tertinggi sebesar 9,88% diperoleh pada tekanan deposisi a-Si:H sebesar 500 mTorr. Perhitungan efisiensi konversi sel surya tipe persambungan p-i-n dengan berbasis material a-Si:H dilakukan berdasarkan simulasi perhitungan karakteristik I-V dari material. Dalam bentuk 1 dimensi, Persamaan Poisson dan Persamaan Kontinyuitas diselesaikan dengan menggunakan  Femlab Simulation. Data empirik optical band gap Eg pada variasi tekanan deposisi 0-500 mTorr,  yang diperoleh dalam penumbuhan a-Si;H menggunakan teknik HWC-VHF-PECVD, menjadi input kegiatan optimasi. Hasil simulasi menunjukkan terjadinya penurunan efisiensi dengan adanya kenaikan Eg. Efisiensi sel surya tertinggi sebesar 9,88% diperoleh pada tekanan deposisi a-Si:H sebesar 500 mTorr.


   

Full Text:

PDF

Article Metrics

 Abstract Views : 108 times
 PDF Downloaded : 157 times

Refbacks

  • There are currently no refbacks.


View MyStat

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.

Gradien Indexed by :

Tidak ada teks alternatif otomatis yang tersedia.Find in a library with WorldCat